NAND闪存产业下一个明日之星x3(3-bit-per-cell)技术，领先者确定再度由SanDisk出线!SanDisk将在4月量产16Gb容量的3-Bit-Per-Cell产品，预计在同一世代制程下，采用3-Bit-Per-Cell技术可比MLC(Multi-Level Cell)技术增加20%的产能;此外，三星电子(Samsung Electronics)2008年同样会有x3产量品问世，而这也代表在整个NAND闪存产业世代交替中，x3世代的接班态势已正式浮出台面。

　　与过去SLC世代转换到MLC世代的历史相同，这次NAND闪存产业技术再度由MLC世代晋级到x3世代，且确定再度由SanDisk和东芝(Toshiba)阵营先拔头筹，领先三星、海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特尔(Intel)阵营推出x3高容量NAND闪存产品。

　　SanDisk指出，采用56纳米制程16Gb容量3-Bit-Per-Cell产品，将会于4月正式量产，3-Bit-Per-Cell技术已发展两年的时间，是使用SanDisk自己的专利，与策略联盟伙伴东芝共同生产研发，是MLC下一世代的产品。目前东芝虽然未公布量产x3技术NAND闪存的时间点，但预计也将于近期推出。

　　NAND闪存技术最早以SLC结构为主，进入MLC技术世代后，MLC技术的成本整整较SLC成本节省50%，这样的成本优势结构，也让MLC快速取代SLC成为NAND闪存技术的主流;目前整个NAND闪存产业中，MLC产量比重占了80%，SLC比重只剩下20%。

　　SanDisk表示，MLC技术进入x3技术世代后，在同一个制程下，采用x3技术的每片NAND闪存晶圆的产量可较MLC技术成长20%。根据内存业者透露，未来由x3技术转换到x4(4-Bit-Per-Cell)技术，成本下降的空间会逐渐被压缩，显示NAND闪存产业技术的开发难度越来越高。

　　这次SanDisk和东芝阵营在x3世代上，再度拔得头筹，领先其他NAND闪存大厂，将x3技术导入量产，恐再度掀起NAND闪存降价战，有机会再度拉近与龙头厂三星之间的距离;由于英特尔和美光阵营，在x3或是x4技术的时程表还未出炉，因此SanDisk阵营尽快量产x3产品，也可防堵其势力范围的扩大。

　　内存业者表示，目前SLC芯片只用在少数像是固态盘(SSD)或是高专业级的高速闪存存储卡、U盘等，需要较高性能的要求，一般的闪存存储卡、U盘、MP3播放器等，以MLC芯片都可支持，未来x3技术普及后，消费性电子产品的价格将会进一步下滑。